ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ =Reports NAS RA

О рассеянии электрона на магнитных барьерах

Мовсесян, Р. М. and Саакян, А. С. (2007) О рассеянии электрона на магнитных барьерах. ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ, 107 (1). pp. 66-72. ISSN 0321-1339

[img]PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
197Kb

Abstract

Աշխատանքում դիտարկված է չբևեռացված էլեկտրոնների ցրումը մագնիսական արգելքների վրա: Ցույց է տրված, որ երբ հետերոկառուցվածքը պարունակում է երկու մագնիսական պատնեշ, ռեզոնանսային անցման շնորհիվ, անցած էլեկտրոնների բևեռացման աստիճանը մոտ է 100 տոկոսին: The scattering of nonpolarized electrons on magnetic barriers is considered. In the case when the heterostructure contains two magnetic barriers, due to resonance penetratin between them, the possibility to obtain a 100 percent spin polarization of penetrated electrons is investigated.

Item Type:Article
Additional Information:Էլեկտրոնի ցրումը մագնիսական պատնեշների արգելքների վրա; Electron Scattering on Magnetic Barriers
Uncontrolled Keywords:Մովսեսյան Ռ. Մ., Սահակյան Ա. Ս., Movsessyan R. M., Sahakyan A. S., магнитный барьер, резонансные уровни, спин-магнитное взаимодействие, трансферматрица, намагниченность, спиновая поляризация.
Subjects:Q Science > QC Physics
ID Code:2576
Deposited By:NAS Reports
Deposited On:26 Mar 2012 16:30
Last Modified:28 Apr 2020 18:37

Repository Staff Only: item control page