ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ =Reports NAS RA

О рассеянии электрона на магнитных барьерах

Мовсесян, Р. М. and Саакян, А. С. (2007) О рассеянии электрона на магнитных барьерах. ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ, 107 (1). pp. 66-72. ISSN 0321-1339

[img]PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
197Kb

Abstract

Աշխատանքում դիտարկված է չբևեռացված էլեկտրոնների ցրումը մագնիսական արգելքների վրա: Ցույց է տրված, որ երբ հետերոկառուցվածքը պարունակում է երկու մագնիսական պատնեշ, ռեզոնանսային անցման շնորհիվ, անցած էլեկտրոնների բևեռացման աստիճանը մոտ է 100 տոկոսին: The scattering of nonpolarized electrons on magnetic barriers is considered. In the case when the heterostructure contains two magnetic barriers, due to resonance penetratin between them, the possibility to obtain a 100 percent spin polarization of penetrated electrons is investigated.

Item Type:Article
Additional Information:Էլեկտրոնի ցրումը մագնիսական պատնեշների արգելքների վրա / Ռ. Մ. Մովսեսյան , Ա. Ս. Սահակյան։ Electron Scattering on Magnetic Barriers / R. M. Movsessyan, A. S. Sahakyan.
Uncontrolled Keywords:магнитный барьер, резонансные уровни, спин-магнитное взаимодействие, трансферматрица, намагниченность, спиновая поляризация.
Subjects:Q Science > QC Physics
ID Code:2576
Deposited By:NAS Reports
Deposited On:26 Mar 2012 16:30
Last Modified:13 Mar 2014 08:16

Repository Staff Only: item control page