ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ =Reports NAS RA

On the Friedel Phase Shift Sum Rule for a Charged Dislocation

Hovakimian , L. B. and Matevosyan, H. H. and Nersisyan, H. B. and Sargsyan, K. A. (2015) On the Friedel Phase Shift Sum Rule for a Charged Dislocation. ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ, 115 (3). pp. 227-231. ISSN 0321-1339

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
135Kb

Abstract

The Friedel phase shift sum rule for an electrically active dislocation line is studied on the basis of the first-order Born-approximation of the scattering theory. A model potential calculation is presented for describing from the standpoint of Friedel’s adjustment procedure the self-consistent screening of a negatively charged acceptor-type edge dislocation in a degenerately doped n-type semiconductor. Ֆրիդելի գումարման կանոնը լիցքավորված դիսլոկացիայի համար հետազոտվում է բախումների քվանտային տեսության Բորնի առաջին մոտավորության հիման վրա: n-տիպի այլասերված կիսահաղորդչում բացասական լիցք կրող եզրային դիսլոկացիայի էկրանավորման խնդիրը դիտարկվում է Ֆրիդելի ինքնահամաձայնեցման ընթացակարգի տեսանկյունից: Правило сумм Фриделя для электрически активной дислокации в кристалле исследуется на основе первого борновского приближения квантовой теории столкновений. Экранирование отрицательно заряженной краевой дислокации в вырожденном полупроводнике n-типа анализируется с точки зрения фриделевской процедуры самосогласования.

Item Type:Article
Additional Information:Լիցքավորված դիսլոկացիայի համար Ֆրիդելի գումարման կանոնի մասին / Լ. Բ. Հովակիմյան, Հ. Հ. Մաթևոսյան, Հ. Բ. Ներսիսյան, Կ. Ա. Սարգսյան։ О правиле сумм Фриделя для заряженной дислокации / Л. Б. Овакимян, Г. Г. Матевосян, Г. Б. Нерсисян, К. А. Саргсян.
Uncontrolled Keywords:charged dislocation, degenerate semiconductor, Friedel sum rule, Born approximation
Subjects:Q Science > QC Physics
ID Code:6249
Deposited By:NAS Reports
Deposited On:23 Oct 2015 13:37
Last Modified:24 Mar 2016 10:57

Repository Staff Only: item control page