ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ =Reports NAS RA

On the Screening of a Negatively Charged Dislocation Line in Degenerate GaN

Babayan, S. A. and Hovakimian , L. B. and Matevosyan, H. H. and Nersisyan, H. B. (2015) On the Screening of a Negatively Charged Dislocation Line in Degenerate GaN. ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ, 115 (4). pp. 298-302. ISSN 0321-1339

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
142Kb

Abstract

Theoretical studies have suggested in the past that in degenerately doped n-GaN and related III-nitride epilayers the dielectric screening of highly negatively charged dislocations is governed by the ℏ -dependent Thomas-Fermi mechanism. Here we show how in this super-wide-gap material system the screening of the dislocation line charge can occur in a ℏ -independent way. We also describe the salient features of the critical carrier concentration, at which a crossover takes place between the quantum and classical screening regimes. Տեսական հետազոտությունների ներկա փուլում ընդունված է համարել, որ n-GaN էպիտաքսիալ թաղանթներում բացասական լիցք կրող դիսլոկացիաների էկրանավորումն իրագործվում է Թոմաս-Ֆերմիի քվանտային մեխանիզմի միջոցով: Այս ուսումնասիրության նպատակն էր՝ ցույց տալ, որ լայն արգելված գոտիով օժտված նիտրիդային համակարգերում դիսլոկացիոն լիցքի էկրանավորման մեխանիզմը կարող է ունենալ էականորեն այլ՝ դասական ծագում: Բնութագրված է Ֆերմի-գազի խտության այն տիրույթը, որտեղ դիսլոկացիաների էկրանավորման քվանտային մե խանիզմը փոխակերպվում է դասականի: На современном этапе теоретических исследований принято считать, что в вырожденном n-GaN экранирование отрицательно заряженных краевых дислокаций осуществляется посредством квантового механизма Томаса – Ферми. В настоящей работе показано, что в вырожденных широкозонных нитридных полупроводниках закон экранирования дислокационного заряда может иметь существенно иное – классическое происхождение. Изучены основные характеристики той критической концентрации Ферми-газа, ниже которой квантовый механизм экранирования заряженной дислокации заменяется классическим.

Item Type:Article
Additional Information:Այլասերված GaN-ում բացասական լիցք կրող դիսլոկացիայի էկրանավորման մասին; Об экранировании отрицательно заряженной дислокации в вырожденном GaN
Uncontrolled Keywords:Բաբայան Ս. Ա., Հովակիմյան Լ. Բ., Մաթևոսյան Հ. Հ., Ներսիսյան Հ. Բ., Бабаян С. А., Овакимян Л. Б., Матевосян Г. Г., Нерсисян Г. Б., gallium nitride, charged dislocation, quantum electron gas, screening
Subjects:Q Science > QC Physics
ID Code:6260
Deposited By:NAS Reports
Deposited On:21 Jan 2016 13:12
Last Modified:07 Apr 2020 16:50

Repository Staff Only: item control page