ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ =Reports NAS RA

On the Screening of a Negatively Charged Dislocation Line in Degenerate GaN

Babayan, S. A. and Hovakimian , L. B. and Matevosyan, H. H. and Nersisyan, H. B. (2015) On the Screening of a Negatively Charged Dislocation Line in Degenerate GaN. ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ, 115 (4). pp. 298-302. ISSN 0321-1339

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
142Kb

Abstract

Theoretical studies have suggested in the past that in degenerately doped n-GaN and related III-nitride epilayers the dielectric screening of highly negatively charged dislocations is governed by the ℏ -dependent Thomas-Fermi mechanism. Here we show how in this super-wide-gap material system the screening of the dislocation line charge can occur in a ℏ -independent way. We also describe the salient features of the critical carrier concentration, at which a crossover takes place between the quantum and classical screening regimes. Տեսական հետազոտությունների ներկա փուլում ընդունված է համարել, որ n-GaN էպիտաքսիալ թաղանթներում բացասական լիցք կրող դիսլոկացիաների էկրանավորումն իրագործվում է Թոմաս-Ֆերմիի քվանտային մեխանիզմի միջոցով: Այս ուսումնասիրության նպատակն էր՝ ցույց տալ, որ լայն արգելված գոտիով օժտված նիտրիդային համակարգերում դիսլոկացիոն լիցքի էկրանավորման մեխանիզմը կարող է ունենալ էականորեն այլ՝ դասական ծագում: Բնութագրված է Ֆերմի-գազի խտության այն տիրույթը, որտեղ դիսլոկացիաների էկրանավորման քվանտային մե խանիզմը փոխակերպվում է դասականի: На современном этапе теоретических исследований принято считать, что в вырожденном n-GaN экранирование отрицательно заряженных краевых дислокаций осуществляется посредством квантового механизма Томаса – Ферми. В настоящей работе показано, что в вырожденных широкозонных нитридных полупроводниках закон экранирования дислокационного заряда может иметь существенно иное – классическое происхождение. Изучены основные характеристики той критической концентрации Ферми-газа, ниже которой квантовый механизм экранирования заряженной дислокации заменяется классическим.

Item Type:Article
Additional Information:Այլասերված GaN-ում բացասական լիցք կրող դիսլոկացիայի էկրանավորման մասին / Ս. Ա. Բաբայան, Լ. Բ. Հովակիմյան, Հ. Հ. Մաթևոսյան, Հ. Բ. Ներսիսյան։ Об экранировании отрицательно заряженной дислокации в вырожденном GaN / С. А. Бабаян, Л. Б. Овакимян, Г. Г. Матевосян, Г. Б. Нерсисян.
Uncontrolled Keywords:gallium nitride, charged dislocation, quantum electron gas, screening
Subjects:Q Science > QC Physics
ID Code:6260
Deposited By:NAS Reports
Deposited On:21 Jan 2016 13:12
Last Modified:24 Mar 2016 10:58

Repository Staff Only: item control page