ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ =Reports NAS RA

Binding Energy of the One-Sided Dielectrically Enhanced Screened Exciton in Semiconductor Quantum Well

Aharonyan, K. H. and Margaryan, N. B. (2016) Binding Energy of the One-Sided Dielectrically Enhanced Screened Exciton in Semiconductor Quantum Well. ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ, 116 (1). pp. 57-63. ISSN 0321-1339

[img]
Preview
PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
148Kb

Abstract

A formalism for the study of the two-dimensional screened exciton states in onesided strong dielectric contrast affected ternary quantum well (QW) system modeled by the two-dimensional Debye-Hückel-type potential is presented. В модели двумерного дебай-хюккелевского потенциала взаимодействия в трехслойной квантовой яме представлен формализм для исследования экранированных экситонных состояний с учетом одностороннего сильного контраста диэлектрических постоянных. Երկչափ դեբայ-հյուկելյան բնույթի փոխազդեցության պոտենցիալի կիրառությամբ ներկայացված է եռաշերտ քվանտային փոսում երկչափ էկրանավորված էքսիտոնային վիճակների ուսումնասիրությունը՝ դիէլէկտրական հաստատունի մեկկողմանի կտրուկ թռիչքի հաշվառումով:

Item Type:Article
Additional Information:Энергия связи экранированного экситона в полупроводниковой квантовой яме с односторонним диэлектрическим усилением / К. Г. Агаронян, Н. Б. Маргарян. Մեկկողմանի դիէլեկտրական ուժեղացմամբ էկրանավորված էքսիտոնի կապի էներգիան կիսահաղորդչային քվանտային փոսում / Կ. Հ. Ահարոնյան, Ն. Բ. Մարգարյան։
Uncontrolled Keywords:quantum well, screening, exciton, binding energy
Subjects:Q Science > QC Physics
ID Code:6274
Deposited By:NAS Reports
Deposited On:26 Apr 2016 12:49
Last Modified:26 Apr 2016 12:49

Repository Staff Only: item control page