ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ =Reports NAS RA

Browse by Person

Up a level
Export as [feed] RSS 2.0 [feed] RSS 1.0 [feed] Atom
Number of items: 52.

Авакьянц, Г. М. (1976) S-образная вольт-амперная характеристика и шнурование тока в коллекторном переходе сверхмощных транзисторов. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 63 (5). pp. 303-310.

Авакьянц, Г. М. and Барсегян, Р. С. and Степанов, А. А. (1969) Влияние излучения лазера на процессы в базе кремниевого диода с отрицательным сопротивлением. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 49 (5). pp. 233-236.

Авакьянц, Г. М. (1970) Влияние рекомбинации на прохождение тока через полупроводники. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 50 (4). pp. 204-209.

Авакьянц, Г. М. and Абрамян, Ю. А. and Альтман, И. Р. and Альтман, Ц. М. (1967) Вольтамперная характеристика дрейфового транзистора (Р-П-Р). ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 45 (2). pp. 56-60.

Авакьянц, Г. М. (1969) Генерационно-рекомбинационные волны в полупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 48 (4). pp. 208-211.

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1975) Действие электронов низких энергий на полупроводниковые диоды. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 60 (5). pp. 269-274.

Авакьянц, Г. М. and Адамян, З. Н. and Тарумян, С. А. (1974) Действие электронов низких энергий на характеристики S-диодов из кремния, компенсированного цинком. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 59 (2). pp. 78-83.

Авакьянц, Г. М. and Долмазян, С. Г. (1974) Динамические характеристики S-диодов на основе кремния с примесью серебра. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 58 (3). pp. 145-150.

Авакьянц, Г. М. and Минасян, С. В. and Оганесян, О. А. (1970) Диоды с отрицательным сопротивлением на основе креминя, компенсированного никелем. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 50 (1). pp. 20-22.

Авакьянц, Г. М. and Алтунян, С. А. and Егиазарян, Г. А. (1967) Изменение структуры тонких аморфных пленок селена при бомбардировке их положительными ионами натрия. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 44 (3). pp. 107-110.

Авакьянц, Г. М. and Альтман, И. Р. and Хавин, Л. С. and Юровский, А. В. (1966) Измерение ЭДС Холла в базе кремниевого диода с отрицательным сопротивлением. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 43 (5). pp. 264-267.

Авакьянц, Г. М. and Альтман, И. Р. and Юровский, А. В. (1966) Измерение нанесекундных времен жизни в «длинных» диодах. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 43 (2). pp. 82-86.

Авакьянц, Г. М. and Саркисян, И. А. (1985) Инфракрасное гашение в образцах кремния с примесью кобальта. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 81 (3). pp. 123-127. ISSN 0321-1339

Авакьянц, Г. М. and Барсегян, Р. С. and Минасян, С. В. (1974) Исследование диффузионных p+ -n-n+ структур на основе кремния с примесью никеля. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 59 (5). pp. 274-280.

Авакьянц, Г. М. and Минасян, С. В. (1972) Исследование статических и переходных вольт-амперных характеристик диодов, изготовленных на основе кремния, компенсированного никелем. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 54 (4). pp. 217-223.

Авакьянц, Г. М. and Степанов, А. А. and Барсегян, Р. С. (1970) Исследование характеристик диодов с отрицательным сопротивлением. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 51 (2). pp. 79-82.

Авакьянц, Г. М. and Адамян, З. Н. and Барсегян, Р. С. and Оганесян, В. С. and Тарумян, С. А. (1971) Исследования S-диодов из кремния с примесью цинка и кадмия. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 52 (2). pp. 76-80.

Авакьянц, Г. М. and Абрамян, Ю. А. and Сераго, В. И. (1968) Исслодование переходных характеристик диодов с отрицательным сопротивлением. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 47 (3). pp. 167-170.

Авакьянц, Г. М. and Абрамян, Б. А. and Альтман, И. Р. and Альтман, Ц. М. (1967) К вопросу о надежности мощных транзисторов. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 44 (5). pp. 208-212.

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1968) К вопросу о прохождении тока через полупроводник, содержащий глубокие уровни. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 46 (5). pp. 228-231.

Авакьянц, Г. М. and Альтман, И. Р. and Альтман, Ц. М. (1967) К природе отрицательного сопротивления в кремниевых диодах. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 45 (4). pp. 152-156.

Авакьянц, Г. М. and Альтман, И. Р. and Альтман, Ц. Р. (1968) К природе отрицательного сопротивления в кремниевых диодах. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 46 (3). pp. 103-109.

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1979) К теории вольт-амперной характеристики длинных диодов. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 69 (3). pp. 157-162. ISSN 0321-1339

Авакьянц, Г. М. and Джереджян, А. А. and Караян, Г. С. (1974) К теории многотранзисторной аналогии. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 58 (4). pp. 206-211.

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1974) К теории эффекта Ганна в сильнолегированных полупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 59 (1). pp. 32-38.

Авакьянц, Г. М. and Абрамян, Ю. А. and Гаспарян, С. Н. and Карапетян, В. Е. and Саркисян, И. А. (1967) Кремниевые диоды с управляемыми дифференциальным отрицательным сопротивлением. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 44 (4). pp. 163-166.

Авакьянц, Г. М. and Адамян, З. Н. and Барсегян, Р. С. and Тарумян, С. А. (1969) Магниточувствительность диодов изготовленных из компенсированного кадмием (Zn 10-2%) кремния. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 49 (1). pp. 24-27.

Авакьянц, Г. М. and Барсегян, Р. С. and Гукасян, М. А. and Минасян, М. В. and Саркисян, С. А. (1979) Мощный многоэмиттерный креминевый транзистор на токи порядка сорока ампер. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 68 (3). pp. 163-170. ISSN 0321-1339

Авакьянц, Г. М. and Адамян, З. Н. and Арутюнян, В. М. and Барсегян, Р. С. and Оганесян, С. В. (1973) Некоторые исследования кремниевых диодов с примесью цинка как элементов оптронной пары. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 57 (3). pp. 152-157.

Авакьянц, Г. М. and Долмазян, С. Г. and Хазарджян, Э. Ф. (1973) Некоторые свойства S-диодов на основе кремния, компенсированного серебром. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 57 (1). pp. 9-14.

Авакьянц, Г. М. and Минасян, С. В. and Оганесян, О. А. and Степанов, А. А. (1970) Некоторые свойства диодов на основе кремия с примесью никеля. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 51 (5). pp. 283-287.

Авакьянц, Г. М. and Долмазян, С. Г. (1974) Некоторые свойства шнур тока в S-диодах из n-кремния с примесью серебра. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 59 (3). pp. 162-167.

Авакьянц, Г. М. and Степанов, А. А. and Барсегян, Р. С. and Мовчан, С. П. (1971) Неоднородное протекание тока в кремниевых диодах, компенсированных кадмием и цинком. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 53 (5). pp. 257-263.

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1981) О действии электронов с энергией до 100 кэв на полупроводниковые структуры. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 72 (1). pp. 22-27. ISSN 0321-1339

Авакьянц, Г. М. (1971) О концентрации электронов в приконтактном слое полупроводника. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 53 (3). pp. 148-155.

Авакьянц, Г. М. (1972) О полупроводниковых приборах с переключающими свойствами. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 54 (3). pp. 147-153.

Авакьянц, Г. М. (1969) О природе отрицательного сопротивления. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 48 (5). pp. 267-272.

Авакьянц, Г. М. (1976) О сверхмощных транзисторах. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 63 (3). pp. 157-163.

Авакьянц, Г. М. and Бахшян, Ю. Г. and Минасян, М. В. and Плузян, З. Б. and Саркисян, С. А. (1978) О свойствах мощных многоэмиттерных транзисторов при малых остаточных напряжениях. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 66 (1). pp. 37-43.

Авакьянц, Г. М. (1973) Об активных ячейках на основе моп-структуры и биполярного транзистора. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 56 (5). pp. 284-289.

Авакьянц, Г. М. and Петросян, Э. А. and Мелконян, В. В. and Плузян, З. Б. (1978) Об оптимизации площади кристалла мощных многоэмиттерных транзисторов. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 66 (2). pp. 91-97.

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1973) Определение параметров примесных центров по кривым равновесной проводимости полупроводника. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 57 (5). pp. 289-295.

Авакьянц, Г. М. and Минасян, М. В. and Саркисян, С. А. (1979) Параметрический стабилизатор напряжения на основе мощного высоковольтного биполярного транзистора. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 68 (2). pp. 100-108. ISSN 0321-1339

Авакьянц, Г. М. and Степанов, А. А. and Барсегян, Р. С. and Абрамян, Ю. А. (1971) Переключающие свойства диодов с отрицательным сопротивлением. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 53 (2). pp. 79-83.

Авакьянц, Г. М. and Альтман, И. Р. and Хавин, Л. С. and Юровский, А. В. (1967) Переходные характеристики кремниевых диодов с отрицательным сопротивлением. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 44 (2). pp. 58-64.

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1985) Преобразование солнечной энергии в электрическую с исползованием голографических концентратов. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 80 (4). pp. 176-180. ISSN 0321-1339

Авакьянц, Г. М. (1970) Прохождение тока через полупроводники при задерженной инжекции. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 51 (3). pp. 164-169.

Авакьянц, Г. М. and Альтман, И. Р. and Хавин, Л. С. and Юровский, А. В. (1967) Распределение токов в кремниевых диодах с отрицательным сопротивлением. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 44 (3). pp. 104-106.

Авакьянц, Г. М. and Абрамян, Ю. А. and Сераго, В. И. (1968) Статистические исследования вольт-амперных характеристик диодов с примесью цинка. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 47 (1). pp. 12-16.

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. and Барсегян, Р. С. (1971) Формирование участка птрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике P+nn+ структур. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 53 (4). pp. 218-223.

Авакьянц, Г. М. and Ваганян, А. И. and Бегларян, М. Л. (1970) Электрофизические свойства твердых растворов In1-xGaxP. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 50 (5). pp. 273-277.

Авакьянц, Г. М. and Долмазян, С. Г. (1975) Эффекты памяти, обусловленные остаточной проводимостью. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 60 (2). pp. 82-89.

This list was generated on Sun Jun 25 04:15:40 2017 AMT.