ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ =Reports NAS RA

Browse by Person

Up a level
Export as [feed] RSS 2.0 [feed] RSS 1.0 [feed] Atom
Number of items: 10.

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1975) Действие электронов низких энергий на полупроводниковые диоды. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 60 (5). pp. 269-274.

Авакьянц, Г. М. and Адамян, З. Н. and Тарумян, С. А. (1974) Действие электронов низких энергий на характеристики S-диодов из кремния, компенсированного цинком. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 59 (2). pp. 78-83.

Баласанян, Р. Н. and Оганесян, А. С. and Тарумян, С. А. (1998) Исследование растворов, приготовленных для выращивания кристаллов α-LiIO3. Հայաստանի ԳԱԱ Զեկույցներ, 98 (4). pp. 291-295. ISSN 0321-1339

Авакьянц, Г. М. and Адамян, З. Н. and Барсегян, Р. С. and Оганесян, В. С. and Тарумян, С. А. (1971) Исследования S-диодов из кремния с примесью цинка и кадмия. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 52 (2). pp. 76-80.

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1979) К теории вольт-амперной характеристики длинных диодов. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 69 (3). pp. 157-162. ISSN 0321-1339

Авакьянц, Г. М. and Адамян, З. Н. and Барсегян, Р. С. and Тарумян, С. А. (1969) Магниточувствительность диодов изготовленных из компенсированного кадмием (Zn 10-2%) кремния. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 49 (1). pp. 24-27.

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1981) О действии электронов с энергией до 100 кэв на полупроводниковые структуры. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 72 (1). pp. 22-27. ISSN 0321-1339

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1973) Определение параметров примесных центров по кривым равновесной проводимости полупроводника. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 57 (5). pp. 289-295.

Авакьянц, Г. М. and Тарумян, С. А. (1985) Преобразование солнечной энергии в электрическую с исползованием голографических концентратов. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 80 (4). pp. 176-180. ISSN 0321-1339

Тарумян, С. А. (1976) Статистические и импульсные характиеристики S-диодов при воздействии электронов низкихэнергий. ՀՍՍՀ ԳԱ Զեկույցներ, 62 (3). pp. 166-172.

This list was generated on Sun Oct 22 08:57:11 2017 AMT.